Samsung запустила в массовое производство новое, уже девятое поколение памяти V-NAND. Новое поколение памяти имеет на 50% более высокую плотность по сравнению с восьмым поколением.

Производителю удалось на 33% увеличить скорость ввода/вывода данных, теперь она составляет 3.2 Гбит/с. Также смогли добиться снижения энергопотребления на 10%.

Samsung уже начала массовое производство памяти V-NAND TLC емкостью 1 ТБ. Новая память найдет применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях высокой емкости, потребность в которых формируется в том числе на фоне растущего интереса к применению искусственного интеллекта. Ранее ИА «Бизнес Код» писало, что Samsung представила собственный прогноз по прибыли в первом квартале 2024 года.